参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD031N06L3 G
说明	功率MOSFET   6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-18]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13000pF @ 30V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	60V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	79nC @ 4.5V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	79nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	167W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	83S
下降时间	13ns
上升时间	78ns
典型关闭延迟时间	64ns
典型接通延迟时间	25ns